[发明专利]半导体器件结构有效
| 申请号： | 201611126433.7 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN106960834B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 高敏峰;杨敦年;刘人诚;林政贤;黄薰莹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种半导体器件结构。半导体器件结构包括具有第一表面和第二表面的半导体衬底。半导体衬底具有有源区。半导体衬底掺杂有具有第一类型导电性的第一掺杂剂。有源区邻近第一表面并掺杂有具有第二类型导电性的第二掺杂剂。半导体衬底包括位于第二表面上方并掺杂有具有第一类型导电性的第三掺杂剂的掺杂的层。在一些实施例中，掺杂的层中的第三掺杂剂的第一掺杂浓度大于半导体衬底中的第一掺杂剂的第二掺杂浓度。半导体器件结构包括位于掺杂的层上方的导电凸块。本发明实施例涉及半导体器件结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件结构，包括：半导体衬底，具有第一表面和第二表面，其中，所述半导体衬底具有有源区，所述半导体衬底掺杂有具有第一类型导电性的第一掺杂剂，以及所述有源区邻近所述第一表面并且掺杂有具有第二类型导电性的第二掺杂剂；掺杂的层，位于所述第二表面上方并掺杂有具有所述第一类型导电性的第三掺杂剂，其中，所述掺杂的层中的所述第三掺杂剂的第一掺杂浓度大于所述半导体衬底中的所述第一掺杂剂的第二掺杂浓度；以及导电凸块，位于所述掺杂的层上方。
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