[发明专利]半导体器件结构

权利要求书

1.一种半导体器件结构，包括：

半导体衬底，具有第一表面和第二表面，其中，所述半导体衬底具有有源区，所述半导体衬底掺杂有具有第一类型导电性的第一掺杂剂，以及所述有源区邻近所述第一表面并且掺杂有具有第二类型导电性的第二掺杂剂；

掺杂的层，位于所述第二表面上方并掺杂有具有所述第一类型导电性的第三掺杂剂，其中，所述掺杂的层中的所述第三掺杂剂的第一掺杂浓度大于所述半导体衬底中的所述第一掺杂剂的第二掺杂浓度；以及

导电凸块，位于所述掺杂的层上方。

2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述导电凸块位于所述有源区上方。

3.根据权利要求1所述的半导体器件结构，还包括：

衬底，接合至所述第一表面，其中，所述半导体衬底的第一厚度小于所述衬底的第二厚度。

4.根据权利要求3所述的半导体器件结构，还包括：

第一器件层，位于所述第一表面上方并且电连接至所述导电凸块；以及

第二器件层，位于所述第一器件层和所述衬底之间并且电连接至所述第一器件层。

5.根据权利要求4所述的半导体器件结构，还包括：

导电结构，穿过所述半导体衬底和所述第一器件层以电连接至所述导电凸块、所述第一器件层和所述第二器件层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述掺杂的层是连续膜并且覆盖整个所述第二表面。

7.根据权利要求1所述的半导体器件结构，还包括：

隔离结构，嵌入在所述半导体衬底中并且围绕所述有源区；以及

隔离掺杂区，位于所述半导体衬底中并且位于所述隔离结构下方，其中，所述隔离掺杂区掺杂有具有第一类型导电性的第四掺杂剂，以及所述隔离掺杂区中的所述第四掺杂剂的第三掺杂浓度大于所述半导体衬底中的所述第一掺杂剂的所述第二掺杂浓度。

8.根据权利要求7所述的半导体器件结构，其中，所述掺杂的层的第一厚度小于所述隔离掺杂区的第二厚度。

9.一种半导体器件结构，包括：

半导体衬底，具有第一表面和第二表面，其中，所述半导体衬底具有有源区，所述半导体衬底掺杂有具有第一类型导电性的第一掺杂剂，以及所述有源区邻近所述第一表面并且掺杂有具有第二类型导电性的第二掺杂剂；

第一电荷层，位于所述第二表面上方，其中，

当所述第一类型导电性是P型时，所述第一电荷层是负电荷层，当所述第一类型导电性是N型时，所述第一电荷层是正电荷层；

氧化物层，将所述第一电荷层的靠近所述半导体衬底的下表面与所述半导体衬底的第二表面分离；

第二电荷层，位于所述第一电荷层上方，其中，所述第一电荷层和所述第二电荷层具有相同的电荷极性并且由不同的材料制成。

10.根据权利要求9所述的半导体器件结构，其中，所述负电荷层包括高k材料。

11.根据权利要求9所述的半导体器件结构，其中，所述负电荷层包括HfO₂、Al₂O₃或Ta₂O₅。

12.根据权利要求9所述的半导体器件结构，其中，所述正电荷层包括氧化硅、氮化硅或碳化硅。

13.根据权利要求9所述的半导体器件结构，其中，所述第一电荷层覆盖整个所述第二表面。