[发明专利]半导体器件结构

说明书

本发明实施例提供了一种半导体器件结构。半导体器件结构包括具有第一表面和第二表面的半导体衬底。半导体衬底具有有源区。半导体衬底掺杂有具有第一类型导电性的第一掺杂剂。有源区邻近第一表面并掺杂有具有第二类型导电性的第二掺杂剂。半导体衬底包括位于第二表面上方并掺杂有具有第一类型导电性的第三掺杂剂的掺杂的层。在一些实施例中，掺杂的层中的第三掺杂剂的第一掺杂浓度大于半导体衬底中的第一掺杂剂的第二掺杂浓度。半导体器件结构包括位于掺杂的层上方的导电凸块。本发明实施例涉及半导体器件结构。

技术领域

本发明实施例涉及半导体器件结构。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业经历了高速发展。IC材料和设计中的技术进步已经产生了多代IC。每一代都比上一代具有更小和更复杂的电路。然而，这些进步增加了加工和生产IC的复杂度。

在IC演化过程中，功能密度(例如，每个芯片区中的互连器件的数量)普遍增大而几何尺寸缩小。半导体器件结构(例如，芯片或封装件)的厚度也降低了。

然而，由于部件尺寸持续降低，制造工艺持续变得越来越难实施。因此，在越来越小的尺寸上形成可靠的半导体器件是一种挑战。

发明内容

根据本发明的一个实施例，提供了一种半导体器件结构，包括：半导体衬底，具有第一表面和第二表面，其中，所述半导体衬底具有有源区，所述半导体衬底掺杂有具有第一类型导电性的第一掺杂剂，以及所述有源区邻近所述第一表面并且掺杂有具有第二类型导电性的第二掺杂剂；掺杂的层，位于所述第二表面上方并掺杂有具有所述第一类型导电性的第三掺杂剂，其中，所述掺杂的层中的所述第三掺杂剂的第一掺杂浓度大于所述半导体衬底中的所述第一掺杂剂的第二掺杂浓度；以及导电凸块，位于所述掺杂的层上方。

根据本发明的另一实施例，还提供了一种半导体器件结构，包括：半导体衬底，具有第一表面和第二表面，其中，所述半导体衬底具有有源区，所述半导体衬底掺杂有具有第一类型导电性的第一掺杂剂，以及所述有源区邻近所述第一表面并且掺杂有具有第二类型导电性的第二掺杂剂；第一电荷层，位于所述第二表面上方，其中，当所述第一类型导电性是P型时，所述第一电荷层是负电荷层，以及当所述第一类型导电性是N型时，所述第一电荷层是正电荷层。

根据本发明的又一实施例，还提供了一种半导体器件结构，包括：半导体衬底，具有第一表面和第二表面，其中，所述半导体衬底具有有源区，所述半导体衬底掺杂有具有第一类型导电性的第一掺杂剂，以及所述有源区邻近所述第一表面并且掺杂有具有第二类型导电性的第二掺杂剂；绝缘层，位于所述第二表面上方；以及导电层，位于所述绝缘层上方，其中，所述导电层位于所述有源区上方。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各个部件没有被按比例绘制。事实上，为了清楚讨论，各个部件的尺寸可以任意增大或减小。

图1A至图1I是根据一些实施例的用于形成半导体器件结构的工艺的各个阶段的截面图。

图1I-1到图1I-3是根据一些实施例的图1I的半导体器件结构的变化的截面图。

图2是根据一些实施例的半导体器件结构的截面图。

图3A至图3E是根据一些实施例的用于形成半导体器件结构的工艺的各个阶段的截面图。

图3E-1到图3E-3是根据一些实施例的图3E的半导体器件结构的变化的截面图。

图4A至图4C是根据一些实施例的用于形成半导体器件结构的工艺的各个阶段的截面图。

图4C-1到图4C-3是根据一些实施例的图4C的半导体器件结构的变化的截面图。

具体实施方式