[发明专利]制造半导体装置的天线二极管电路

摘要

本发明揭示制造半导体装置的天线二极管电路，其揭示至少一种方法、设备及系统涉及用于半导体装置的天线二极管设计。提供操作性耦合至接地节点并耦合至充当隔离的p型阱的p型阱层的第一共用二极管，该隔离的p型阱是在深n型阱区上方形成，该深n型阱区相邻于半导体装置中的n型阱。提供在该隔离的p型阱上形成并操作性耦合至该p型阱层且操作性耦合至该半导体装置的第一信号线的第一天线二极管，用于释放该第一信号线上的累积电荷。提供在该隔离的p型阱上形成并操作性耦合至该p型阱层且操作性耦合至半导体装置的第二信号线的第二天线二极管，用于释放该第二信号线上的累积电荷。

主权项

一种设备，其包含：在n型阱区及隔离的p型阱区上形成有至少一个晶体管的标准胞元，其中该n型阱区及该p型阱区是在深n型阱区上形成；耦合至第一信号线的第一天线胞元，该第一信号线操作性耦合至该标准胞元，该第一天线胞元包含：在该隔离的p型阱区上形成的第一天线二极管，其中该第一二极管的阴极操作性耦合至该第一信号线，并且该第一二极管的阳极操作性耦合至该隔离的p型阱区；以及在该隔离的p型阱区上形成的第二天线二极管，其中该第二二极管的阳极操作性耦合至该隔离的p型阱区，并且该第二二极管的阴极操作性耦合至接地节点，用于释放该第一信号线上的累积电荷。