[发明专利]制造半导体装置的天线二极管电路有效
| 申请号： | 201611101608.9 | 申请日： | 2016-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN107919352B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | J·金;M·拉希德;N·贾殷;A·米塔尔;S·金 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H10B10/00 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 天线 二极管 电路 | ||
1.一种半导体装置，其包含：
操作性耦合至第一路径及第二路径的第一共用二极管，该第一路径通过隔离的p型阱区而至接地节点并且该第二路径通过该隔离的p型阱区而至VDD节点，该隔离的p型阱区是在深n型阱区上方形成，该深n型阱区相邻于该半导体装置中的n型阱区；
在该隔离的p型阱区上形成并操作性耦合至该半导体装置的第一信号线的第一天线二极管，用于释放该第一信号线上的累积电荷；以及
在该隔离的p型阱区上形成并操作性耦合至该半导体装置的第二信号线的第二天线二极管，用于释放该第二信号线上的累积电荷。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包含操作性耦合至该接地节点并耦合至该隔离的p型阱区且耦合至该VDD节点的第二共用二极管。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包含装置设计的建模以进行识别功能胞元的所述第一与第二信号线，且电荷将会在处理操作期间于该功能胞元上积累。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，该第一共用二极管包含置放在存储器装置中的阵列中的第一存储胞与第二存储胞之间的该第一共用二极管。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，该第二共用二极管包含置放在该阵列中的该第二存储胞与第三存储胞之间的该第二共用二极管。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第一与第二天线二极管是沿着邻近该第一共用二极管的该第一存储胞置放。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，该第一共用二极管包含置放在存储器装置的行解码器与列解码器交会处的该第一共用二极管。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，该第一天线二极管包含耦合至该第一信号线的该第一天线二极管的阴极，及耦合至该隔离的p型阱区的该第一天线二极管的阳极。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，该第一共用二极管包含耦合至该隔离的p型阱区的该第一共用二极管的阳极，及耦合至该接地节点的该第一共用二极管的阴极，用于释放该第一信号线上的累积电荷，其中，该第一信号线操作性耦合至功能胞元。
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其进一步包含在该半导体装置中操作性耦合至该隔离的p型阱区并操作性耦合至衬底区的衬底接触部，用于释放所述第一与第二信号线上的所述累积电荷。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
