[发明专利]制造半导体装置的天线二极管电路

说明书

本发明揭示制造半导体装置的天线二极管电路，其揭示至少一种方法、设备及系统涉及用于半导体装置的天线二极管设计。提供操作性耦合至接地节点并耦合至充当隔离的p型阱的p型阱层的第一共用二极管，该隔离的p型阱是在深n型阱区上方形成，该深n型阱区相邻于半导体装置中的n型阱。提供在该隔离的p型阱上形成并操作性耦合至该p型阱层且操作性耦合至该半导体装置的第一信号线的第一天线二极管，用于释放该第一信号线上的累积电荷。提供在该隔离的p型阱上形成并操作性耦合至该p型阱层且操作性耦合至半导体装置的第二信号线的第二天线二极管，用于释放该第二信号线上的累积电荷。

技术领域

大体上，本发明是关于尖端半导体装置的制造，并且更具体地说，是关于将天线二极管(diode)电路运用于制造具有FDSOI技术的半导体装置(例如：标准胞元(standardcell)、存储器装置(memory device)等)。

背景技术

存储器装置是电子装置的重要部分。更高操作效率存储器装置的需求正持续成长中。因此，设计人员一直在尝试改进半导体处理程序，以制造更佳存储器装置。制造半导体装置，从半导体原料开始到建立已封装半导体装置时，需要若干离散程序。从半导体材料初始生长、半导体晶体切片成个别晶圆、制作阶段(蚀刻、掺杂、离子注入或类似者)到完成装置封装、与最终测试等不同程序彼此间有很大的差异，而且专门化，因此，可在具有不同控制方案的不同制造位置进行此等程序。这些半导体装置的实施例包括使用诸如所谓块材FET等场效晶体管(FET)所施作的装置。

为了因应典型块材FET的一些缺点，设计人员已提议利用所谓的完全耗尽型硅绝缘体(FDSOI)FET。诸如标准胞元、存储器装置等许多装置是使用FDSOI技术所制造。制造这些装置时，在半导体衬底(substrate)上进行各种程序。这些程序中有一些可以是电浆式的处理。举例而言，半导体制造中的电浆处理可包括化学气相沉积(CVD)、蚀刻、干式清理(而不是湿式化学清洗)等。此等处理步骤中有一些可能在装置的电路系统的一或多条线路上造成天线效应。设计人员已实施用以降低负面天线效应的天线二极管。与天线二极管实作方面相关联的问题中有一些可包括操作无效率、功率消耗、电流泄漏、以及这些装置的空间使用状况。

本发明可因应及/或至少减少以上确认的其中一或多个问题。

发明内容

以下介绍本发明的简化概要，以便对本发明的一些方面有基本的了解。本概要并非本发明的详尽概述。用意不在于确认本发明的重要或关键要素，或叙述本发明的范畴。目的仅在于以简化形式介绍一些概念，作为下文更详细说明的引言。

大体上，本发明是针对所揭示的至少一种方法、设备及系统，涉及用于半导体装置的天线二极管设计。提供操作性耦合至接地节点并耦合至p型阱层(隔离的p型阱)的第一共用二极管，该隔离的p型阱是在深n型阱区上方形成，该深n型阱区相邻于半导体装置中的n型阱。提供在该隔离的p型阱上形成并操作性耦合至该p型阱层且操作性耦合至该半导体装置的第一信号线的第一天线二极管，用于释放该第一信号线上的累积电荷。提供在该隔离的p型阱上形成并操作性耦合至该p型阱层且操作性耦合至半导体装置的第二信号线的第二天线二极管，用于释放该第二信号线上的累积电荷。

附图说明

本发明可搭配附图参照以下说明来了解，其中相似的参考元件符号表示相似的元件，并且其中：

图1绘示半导体晶圆上所形成完全耗尽型(FD)SOI FET的特写图，可将其实施于本文中的一些具体实施例；

图2绘示LVT/SLVT结构中所形成晶体管对300的特写图，可将其实施于本文中的一些具体实施例；

图3绘示RVT/HVT结构中所形成晶体管对400的特写图，可将其实施于本文中的一些具体实施例；

图4根据本文中的具体实施例，绘示用于标准胞元的天线二极管实作方面的例示性电路代表；