[发明专利]基于蓝宝石图形化衬底的LED外延生长方法在审
| 申请号： | 201611095671.6 | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN106374021A | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 徐平 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L21/02;C30B25/18;C30B29/40 |
| 代理公司： | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙)43214 | 代理人： | 郑隽 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开基于蓝宝石图形化衬底的LED外延生长的方法，包括处理衬底、生长AlGaN层、生长InAlN层、生长MgAlGaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长InxGa(1‑x)N/GaN发光层，其中，x＝0.20‑0.25，生长P型AlGaN层、生长掺镁的P型GaN层、降温冷却。本发明提高了外延片波长命中率，提升了外延片晶体质量，从而提升了LED的光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 蓝宝石 图形 衬底 led 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种基于蓝宝石图形化衬底的LED外延生长的方法，其特征在于，包括：处理衬底、生长AlGaN层、生长InAlN层、生长MgAlGaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长InxGa(1‑x)N/GaN发光层，其中，x＝0.20‑0.25，生长P型AlGaN层、生长掺镁的P型GaN层、降温冷却；其中，生长AlGaN层，进一步为：保持反应腔压力为300‑400mbar、温度为900‑1000℃，同时通入流量为30000‑40000sccm的NH3、100‑130L/min的N2、50‑100sccm的TMGa及100‑200sccm的TMAl的条件下，生长400‑500nm的AlGaN层；生长InAlN层，进一步为：保持反应腔压力400mbar‑500mbar、保持温度800℃‑900℃，通入流量为30000sccm‑60000sccm的NH3、200sccm‑300sccm的TMAl、100L/min‑130L/min的N2、2000sccm‑3000sccm的TMIn，生长厚度为20nm‑30nm的InAlN层；生长MgAlGaN层，进一步为：保持反应腔压力为600‑700mbar、温度为1000‑1200℃，同时通入流量为30000‑60000sccm的NH3、100‑130L/min的H2、200‑300sccm的TMGa、50‑100sccm的TMAl及10‑20sccm的Cp2Mg的条件下，生长800‑900nm的MgAlGaN层，Mg的掺杂浓度5E17‑5E18atom/cm3。
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