[发明专利]三维半导体元件及其制造方法

摘要

一种三维半导体元件，包括一基板；一多层堆叠结构形成于基板上方且包括相互平行的多个存储器层，其中多个存储单元结构设置于各存储器层且排列成具有多行多列的一阵列。一存储单元结构包括一存储材料层；一选择器层形成于存储材料层的外表面上且连接存储材料层；一第一电极层形成于选择器层的外表面上且电性连接选择器层；和一第二电极层形成于存储材料层的内表面上且连接存储材料层和垂直穿透多层堆叠结构，其中各个存储器层包括一导电层电性连接第一电极层，且导电层于对应基板的一平行方向上延伸而电性连接相邻的存储单元结构。

主权项

一种三维半导体元件，其特征在于，包括：一基板；一多层堆叠结构(a multi‑layered stack structure)形成于该基板上方，且该多层堆叠结构包括相互平行的多个存储器层(memory layers)，且该些存储器层以层间绝缘层(interlayer insulation layers)分隔开来；多个存储单元结构(memory cell structures)设置于各该些存储器层且排列成具有多行多列的一阵列(an array with multi‑rows and multi‑columns)，该些存储单元结构之一包括：一存储材料层(memory material layer)一选择器层(selector layer)，形成于该存储材料层的外表面(outer surface)上且连接该存储材料层；一第一电极层(first electrode layer，E1)，形成于该选择器层的外表面上且电性连接该选择器层；和一第二电极层(second electrode layer，E2)，形成于该存储材料层的内表面(inner surface)上且连接该存储材料层，其中该第二电极层穿透该多层堆叠结构且于对应该基板的一垂直方向上延伸，其中各该些存储器层包括一导电层(conductive layer)电性连接该第一电极层，且该导电层于对应该基板的一平行方向上延伸而电性连接相邻的该些存储单元结构。