[发明专利]半导体装置

摘要

本发明涉及一种半导体装置，其具备半导体元件与导电性部件。半导体元件具有第一电极与第二电极，并允许电流从第一电极向第二电极流通且禁止电流从第二电极向第一电极流通。导电性部件经由焊锡接合层而与半导体元件的第二电极接合。与焊锡接合层接触的第二电极的表面由以镍为主要成分的金属材料构成，与焊锡接合层接触的导电性部件的表面由以铜为主要成分的金属材料构成。而且，焊锡接合层具有第一化合物层和第二化合物层，所述第一化合物层位于焊锡接合层与第二电极的界面处且由镍‑锡系的金属间化合物构成，所述第二化合物层位于焊锡接合层与所述导电性部件的界面处且由铜‑锡系的金属间化合物构成。

主权项

一种半导体装置，具备：半导体元件，其具有第一电极与第二电极，并允许电流从所述第一电极向所述第二电极流通且禁止电流从所述第二电极向所述第一电极流通；导电性部件，其经由焊锡接合层而与所述半导体元件的所述第二电极接合，与所述焊锡接合层接触的所述第二电极的表面由以镍为主要成分的金属材料构成，与所述焊锡接合层接触的所述导电性部件的表面由以铜为主要成分的金属材料构成，所述焊锡接合层具有第一化合物层和第二化合物层，所述第一化合物层位于所述焊锡接合层与所述第二电极的界面处且由镍‑锡系的金属间化合物构成，所述第二化合物层位于所述焊锡接合层与所述导电性部件的界面处且由铜‑锡系的金属间化合物构成。