[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置在审
| 申请号： | 201611073132.2 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108122977A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 陈宗高;王海强;蒲贤勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该方法包括：具有第一导电类型的半导体衬底；具有第一导电类型的体区，形成于所述半导体衬底中，所述体区包括第一部分以及位于所述第一部分上方并与其邻接的第二部分，其中，所述第二部分靠近所述半导体衬底的第一表面，所述第一部分沿第一方向延伸第一宽度，所述第二部分沿所述第一方向延伸第二宽度，所述第一宽度小于所述第二宽度；第一栅极结构，设置于所述半导体衬底的所述第一表面上，并部分延伸到所述体区上；第二栅极结构，设置于所述半导体衬底的所述第一表面上，并部分延伸到所述体区上，且与所述第一栅极结构沿所述第一方向间隔排列。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体 体区 第一表面 栅极结构 第一导电类型 半导体器件 电子装置 方向延伸 半导体技术领域 方向间隔 邻接 延伸 制造 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：具有第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；具有第一导电类型的体区，形成于所述半导体衬底中，所述体区包括第一部分以及位于所述第一部分上方并与其邻接的第二部分，其中，所述第二部分靠近所述半导体衬底的第一表面，所述第一部分沿第一方向延伸第一宽度，所述第二部分沿所述第一方向延伸第二宽度，所述第一宽度小于所述第二宽度；第一栅极结构，设置于所述半导体衬底的所述第一表面上，并部分延伸到所述体区上；第二栅极结构，设置于所述半导体衬底的所述第一表面上，并部分延伸到所述体区上，且与所述第一栅极结构沿所述第一方向间隔排列。
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