[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置

说明书

本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该方法包括：具有第一导电类型的半导体衬底；具有第一导电类型的体区，形成于所述半导体衬底中，所述体区包括第一部分以及位于所述第一部分上方并与其邻接的第二部分，其中，所述第二部分靠近所述半导体衬底的第一表面，所述第一部分沿第一方向延伸第一宽度，所述第二部分沿所述第一方向延伸第二宽度，所述第一宽度小于所述第二宽度；第一栅极结构，设置于所述半导体衬底的所述第一表面上，并部分延伸到所述体区上；第二栅极结构，设置于所述半导体衬底的所述第一表面上，并部分延伸到所述体区上，且与所述第一栅极结构沿所述第一方向间隔排列。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件及其制造方法和电子装置。

背景技术

随着半导体行业的迅猛发展，PIC(Power Integrated Circuit，功率集成电路)不断在多个领域中使用，如电机控制、平板显示驱动控制、电脑外设的驱动控制等等，PIC电路中所使用的功率器件中，DMOS(Double Diffused MOSFET，双扩散金属氧化物半导体场效应管)具有工作电压高、工艺简单、易于同低压CMOS(Complementary Metal OxideSemiconductor，互补金属氧化物半导体)电路在工艺上兼容等特点而受到广泛关注。

DMOS主要有两种类型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管VDMOSFET(verticaldouble-diffused MOSFET，简称VDMOS)和横向双扩散金属氧化物半导体场效应LDMOSFET(lateral double-diffused MOSFET，简称LDMOS)。LDMOS由于更容易与CMOS工艺兼容而在业内被广泛地采用。

横向扩散金属氧化物半导体晶体管(Lateral Diffusion Metal OxideSemiconductor，LDMOS)在集成电路涉及以及制造中有着重要的地位，例如高压横向扩散金属氧化物半导体晶体管(HV LDMOS)便被广泛使用在薄膜晶体管液晶显示屏的驱动芯片中。一般而言，LDMOS晶体管在使用上需要具有较高的源漏击穿电压(Breakdown Voltagebetween Drain and Source，BVDS)与低的开启电阻(Ron)，以提高元件的效能。

其中，如图1所示的传统的体区全隔离LDMOS器件，使用体区完全隔离相邻的LDMOS器件，并且体区关键尺寸(对应的相邻LDMOS器件的栅极结构101和栅极结构102之间的间隙关键尺寸)较大，体区离子注入不会有光阻屏蔽(shielding)效应，因此，LDMOS器件之间的节距尺寸较大，增加了器件的尺寸不利于器件集成度的降低，且开启电阻(Ron)较大，降低了器件的性能。

因此，有必要提出一种半导体器件及其制造方法，解决上述技术问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对现有技术的不足，本发明实施例一中提供一种半导体器件，包括：

具有第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；

具有第一导电类型的体区，形成于所述半导体衬底中，所述体区包括第一部分以及位于所述第一部分上方并与其邻接的第二部分，其中，所述第二部分靠近所述半导体衬底的第一表面，所述第一部分沿第一方向延伸第一宽度，所述第二部分沿所述第一方向延伸第二宽度，所述第一宽度小于所述第二宽度；

第一栅极结构，设置于所述半导体衬底的所述第一表面上，并部分延伸到所述体区上；