[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

具有第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；

具有第一导电类型的体区，形成于所述半导体衬底中，所述体区包括第一部分以及位于所述第一部分上方并与其邻接的第二部分，其中，所述第二部分靠近所述半导体衬底的第一表面，所述第一部分沿第一方向延伸第一宽度，所述第二部分沿所述第一方向延伸第二宽度，所述第一宽度小于所述第二宽度；

第一栅极结构，设置于所述半导体衬底的所述第一表面上，并部分延伸到所述体区上；

第二栅极结构，设置于所述半导体衬底的所述第一表面上，并部分延伸到所述体区上，且与所述第一栅极结构沿所述第一方向间隔排列。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

源极，所述源极形成于所述体区中，位于所述第一栅极结构和第二栅极结构之间的间隙处，并具有第二导电类型。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

体引出区，所述体引出区形成于所述体区中，且其顶面与所述体区的顶面齐平，与所述源极沿与所述第一方向垂直的第二方向间隔排列，且具有与所述体区相同的导电类型。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

埋层，形成于所述半导体衬底中，所述埋层的顶面低于所述半导体衬底的所述第一表面，所述埋层的底面靠近所述半导体衬底的所述第二表面，且具有第二导电类型；

深阱区，形成于所述埋层的顶面上并与所述埋层邻接，所述深阱区的部分顶面与所述体区的底面邻接，且具有第一导电类型；

第一漂移区，形成于所述第一栅极结构下方的所述半导体衬底中，位于所述深阱区的顶面上，并具有第二导电类型；

第二漂移区，形成于所述第二栅极结构下方的所述半导体衬底中，位于所述深阱区的顶面上，并具有第二导电类型，且所述体区位于所述第一漂移区和所述第二漂移区之间，完全隔离所述第一漂移区和所述第二漂移区；

第一漏极，形成于所述第一栅极结构外侧的所述第一漂移区中，具有第二导电类型；

第二漏极，形成于所述第二栅极结构外侧的所述第二漂移区中，具有第二导电类型。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

第一间隙壁，形成于所述第一栅极结构的侧壁上；

第二间隙壁，形成于所述第二栅极结构的侧壁上。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型，或者，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间的间隙尺寸等于所述第一宽度。

8.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供具有第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，在所述半导体衬底的所述第一表面上形成沿第一方向间隔排列的第一栅极结构和第二栅极结构；

形成具有开口的图案化的掩膜层，以覆盖所述半导体衬底的第一表面，其中，所述开口露出所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间的间隙处的所述半导体衬底；

进行第一离子注入，以在所述开口中露出的半导体衬底中形成体区的第一部分，其中，所述体区的第一部分沿所述第一方向延伸第一宽度，具有第一导电类型；

修剪所述掩膜层，以扩大所述开口沿所述第一方向的宽度，露出部分所述第一栅极结构和所述第二栅极结构；

进行第二离子注入，以在所述开口中露出的半导体衬底中形成体区的第二部分，其中，所述第二离子注入为倾斜离子注入，其注入深度小于所述第一离子注入的注入深度，所述第一部分和所述第二部分构成所述体区，所述体区的第二部分沿所述第一方向延伸第二宽度，其具有第一导电类型，所述第一宽度小于所述第二宽度。