[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201611066969.4 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108122974A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 神兆旭;居建华;俞少峰;刘洋;李永明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/266;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 曲瑞 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供半导体结构，该半导体结构包括：衬底；位于衬底上的至少一个有源区；覆盖有源区的一部分的层间电介质层，该层间电介质层形成有位于有源区上的凹陷；和在凹陷的底部覆盖有源区的一部分的伪栅极绝缘物层；在该凹陷中形成阻挡层；对半导体结构执行包含硅或碳的离子注入以在层间电介质层中形成损耗减缓区；去除该阻挡层；去除伪栅极绝缘物层以露出有源区的一部分；和在有源区的露出的一部分上形成栅极结构。本发明可以减少对层间电介质层的损耗，因而可以减少栅极高度的损耗，从而有利于半导体器件的制造，改善产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 源区 层间电介质层 半导体结构 凹陷 半导体装置 绝缘物层 伪栅极 阻挡层 衬底 去除 半导体技术领域 制造 半导体器件 产品良率 电介质层 栅极结构 对层 覆盖 离子 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括：衬底；位于所述衬底上的至少一个有源区；覆盖所述有源区的一部分的层间电介质层，所述层间电介质层形成有位于所述有源区上的凹陷；和在所述凹陷的底部覆盖所述有源区的一部分的伪栅极绝缘物层；在所述凹陷中形成阻挡层；对所述半导体结构执行包含硅或碳的离子注入以在所述层间电介质层中形成损耗减缓区；去除所述阻挡层；去除所述伪栅极绝缘物层以露出所述有源区的一部分；和在所述有源区的露出的一部分上形成栅极结构。
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