[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体结构，所述半导体结构包括：

衬底；

位于所述衬底上的至少一个有源区；

覆盖所述有源区的一部分的层间电介质层，所述层间电介质层形成有位于所述有源区上的凹陷，其中所述层间电介质层包括第一绝缘物层和在所述第一绝缘物层上的第二绝缘物层，所述凹陷形成在所述第一绝缘物层中，所述第二绝缘物层形成在所述第一绝缘物层上以及所述凹陷的底部和侧壁上；和

在所述凹陷的底部覆盖所述有源区的一部分的伪栅极绝缘物层；

在所述凹陷中形成阻挡层；

对所述半导体结构执行包含硅或碳的离子注入以在所述层间电介质层中形成损耗减缓区；

去除所述阻挡层；

去除所述伪栅极绝缘物层以露出所述有源区的一部分；和

在所述有源区的露出的一部分上形成栅极结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述离子注入所注入的离子包括：硅离子、碳离子或者包含硅或碳的离子团。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，提供半导体结构的步骤包括：

提供初始结构，所述初始结构包括：

衬底；

位于所述衬底上的至少一个有源区；

位于所述有源区上的伪栅极结构，所述伪栅极结构包括：位于所述有源区上的伪栅极绝缘物层和位于所述伪栅极绝缘物层上的伪栅极；和

位于所述伪栅极结构周围的层间电介质层，所述层间电介质层的上表面与所述伪栅极的上表面基本齐平；以及

去除所述伪栅极以形成凹陷。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

提供半导体结构的步骤包括：

提供初始结构，所述初始结构包括：

衬底；

位于所述衬底上的至少一个有源区；

位于所述有源区上的伪栅极结构，所述伪栅极结构包括：位于所述有源区上的伪栅极绝缘物层和位于所述伪栅极绝缘物层上的伪栅极；和

位于所述伪栅极结构周围的第一绝缘物层，所述第一绝缘物层的上表面与所述伪栅极的上表面基本齐平；以及

去除所述伪栅极以形成凹陷；

在所述第一绝缘物层上、所述凹陷的底部和侧壁上形成第二绝缘物层；

其中，在所述凹陷中形成阻挡层的步骤中，所述阻挡层形成在所述第二绝缘物层上。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

在去除所述阻挡层的步骤之后，以及在去除所述伪栅极绝缘物层的步骤之前，所述方法还包括：去除所述凹陷中的第二绝缘物层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，

在去除所述阻挡层的步骤之后，以及在去除所述凹陷中的第二绝缘物层的步骤之前，所述方法还包括：

对形成所述损耗减缓区之后的半导体结构执行热退火处理。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述栅极结构包括：

在所述有源区的露出的一部分上的栅极绝缘物层、在所述栅极绝缘物层上的高k电介质层、以及在所述高k电介质层上的栅极。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，形成栅极结构的步骤包括：

在所述有源区的露出的一部分上形成栅极绝缘物层；

在所述栅极绝缘物层上形成覆盖所述半导体结构的高k电介质层；

在所述高k电介质层上形成栅极材料；和

对形成所述栅极材料后的半导体结构执行平坦化以形成栅极结构。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述阻挡层包括：底部抗反射涂层BARC或光致抗蚀剂。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述凹陷中形成阻挡层的步骤包括：

在所述半导体结构上形成阻挡层以填充所述凹陷；以及

去除所述阻挡层的一部分以使得所述阻挡层部分地填充所述凹陷。