[发明专利]一种异质结太阳电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201611065521.0 | 申请日： | 2016-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN106601854A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 许烁烁;刘良玉 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
| 主分类号： | H01L31/074 | 分类号： | H01L31/074;H01L31/18;H01L21/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙)43008 | 代理人： | 周长清 |
| 地址： | 410111 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种异质结太阳电池及其制备方法，该异质结太阳电池包括硅片基底，硅片基底上设有氧化铝薄膜，氧化铝薄膜上设有氮化镓薄膜，形成GaN/Al2O3/Si异质结结构。其制备方法包括抛光、沉积氧化铝薄膜、退火、沉积氮化镓薄膜、制备ITO透明导电薄膜及银栅线电极。本发明的异质结太阳电池，具有GaN/Al2O3/Si异质结结构，有效的解决了由于氮化镓和硅基底之间的晶格失配引起的载流子复合，大大的提高了异质结电池的少子寿命，其制备方法具有工艺简单等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 异质结 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种异质结太阳电池，其特征在于，所述异质结太阳电池包括硅片基底，所述硅片基底上设有氧化铝薄膜，所述氧化铝薄膜上设有氮化镓薄膜，形成GaN/Al2O3/Si异质结结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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