[发明专利]一种异质结太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种异质结太阳电池，其特征在于，所述异质结太阳电池包括硅片基底，所述硅片基底上设有氧化铝薄膜，所述氧化铝薄膜上设有氮化镓薄膜，形成GaN/Al₂O₃/Si异质结结构。

2.根据权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述氧化铝薄膜的厚度为1nm～2nm。

3.根据权利要求1或2所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述氮化镓薄膜的厚度为100μm～300μm。

4.一种如权利要求1～3中任一项所述的异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）对硅片表面进行抛光；

（2）在步骤（1）中经抛光后的硅片表面沉积氧化铝薄膜；

（3）对步骤（2）中得到的表面沉积有氧化铝薄膜的硅片进行退火；

（4）在步骤（3）中经退火后的氧化铝薄膜表面沉积氮化镓薄膜；

（5）在步骤（4）中得到的氮化镓薄膜上制备一层ITO透明导电薄膜和银栅线电极。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中，采用原子层沉积法沉积氧化铝薄膜；所述原子层沉积法中，沉积温度为150℃～250℃。

6.根据权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中，采用碱溶液进行抛光；所述抛光的温度为70℃～90℃，时间为1min～4min。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述碱溶液为氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液。

8.根据权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中，所述退火在氩气气氛保护下进行；所述退火的温度为400℃～500℃，时间为20min～40min。

9.根据权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）中，采用MOCVD法沉积氮化镓薄膜；所述氮化镓薄膜的沉积包括以下步骤：先在温度为500℃～600℃下生长一层厚度为25纳米的氮化镓，然后在温度为900℃～1200℃下进行生长。

10.根据权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（5）中，所述ITO透明导电薄膜采用电子束蒸镀法制备得到；所述银栅线电极采用电子束蒸镀法制备得到。