[发明专利]多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制作方法有效
| 申请号： | 201611063646.X | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN108110613B | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 周旭亮;李召松;王梦琦;王嘉琪;于红艳;潘教青;王圩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/22;H01S5/323 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制备方法，其中制备方法包括以下步骤：在衬底上依次外延生长缓冲层、有源区和光栅层；通过塔尔博特干涉曝光方法在光栅层中形成不同周期的光栅以对应不同的发射波长；在光栅层上依次外延生长覆盖层和接触层；刻蚀形成激光器阵列的脊台结构；掩埋、制作电极，完成器件制备。本发明中的塔尔博特干涉曝光使用不同周期的光刻板设计，通过一次曝光完成不同周期光栅的制作，从而实现半导体激光器阵列的多波长，减少了工艺步骤，提高了成品率；本发明可以实现激光器多波长直接输出、波导耦合输出等。 | ||
| 搜索关键词： | 多波长 光栅层 半导体分布式 反馈激光器 外延生长 制备 制作 半导体激光器阵列 激光器阵列 光栅 波导耦合 发射波长 工艺步骤 器件制备 一次曝光 周期光栅 曝光 输出 激光器 成品率 覆盖层 光刻板 缓冲层 接触层 电极 干涉 衬底 脊台 刻蚀 源区 掩埋 | ||
【主权项】：
1.一种多波长半导体分布式反馈激光器阵列的制备方法，其中所述激光器阵列为由多个发光单元形成的激光器阵列，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、在衬底上外延缓冲层、有源区和光栅层；步骤2、通过塔尔博特干涉曝光和刻蚀方法在光栅层中形成光栅，其中，所述塔尔博特干涉曝光方法为使用两个以上周期的光刻版设计，通过一次曝光制备两种以上周期的所述光栅，所述两种以上的周期对应两种以上的发射波长；步骤3、完成所述激光器阵列的制备。
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- 廖柯 - 中国电子科技集团公司第四十四研究所
- 2016-11-02 - 2019-04-16 - H01S5/12
- 本发明提供一种内置光栅半导体激光器，包括由下至上依次设置的衬底、下包层、下波导层、有源层、上波导层、上包层和顶层，其中上波导层包括第一上波导层和第二上波导层，第一上波导层为有源层的上一层，第二上波导层为上包层的下一层，且第一上波导层与第二上波导层之间设置有光栅层。本发明通过在第一上波导层与第二上波导层之间设置光栅层，可以大大提高半导体激光器的光谱质量和温度稳定性，并且可以降低激光器的功耗和体积。
- 掩埋DFB激光器及其制备方法-201811622734.8
- 单智发;张永 - 全磊光电股份有限公司
- 2018-12-28 - 2019-03-22 - H01S5/12
- 本发明涉及一种掩埋DFB激光器，其包括：依次层叠的第一导电层、有源层和第二导电层，部分第一导电层与所述有源层、所述第二导电层形成一凸台结构，所述第二导电层远离所述有源层的表面为所述凸台结构的顶面；一阻挡层，所述阻挡层,设置于所述凸台结构的顶面，所述阻挡层的中心部分经刻蚀形成一凹槽，且所述凹槽通至所述凸台结构的顶面；一第一掩埋层，所述第一掩埋层形成于所述凸台结构的侧面，并覆盖所述凸台结构的侧面和所述第一导电层；一第二掩埋层，所述第二掩埋层形成于所述第一掩埋层的表面；一第三导电层，所述第三导电层通过所述凹槽形成于所述凸台结构的顶面，且形成于所述第二掩埋层的表面。本发明还涉及所述掩埋激光器的制备方法。
- 一种基于正交光栅结构的单纵横模激光器-201821090553.0
- 林琦;林中晞;陈景源;朱振国;钟杏丽;苏辉 - 中国科学院福建物质结构研究所;中国科学院大学
- 2018-07-10 - 2019-03-05 - H01S5/12
- 本实用新型涉及一种基于正交光栅结构的单纵横模激光器，包括：上包层、上波导层、下波导层和下包层；其中，下包层、下波导层、上波导层和上包层从下往上设置；所述下波导层或者下包层内具有周期分布的第一光栅，所述上波导层或者上包层内具有周期分布的第二光栅，所述第二光栅与所述第一光栅具有相互正交的排布方式。本实用新型提供的基于正交光栅结构的单纵横模激光器，利用位于有源区上下两个波导层中相互正交的周期光栅进行模式选择，实现单纵横模的输出，改善激光器的光束质量，提高输出功率。
- 半导体光元件以及面发光半导体光元件-201510849909.9
- 渊田步;中村直干 - 三菱电机株式会社
- 2015-11-27 - 2019-02-19 - H01S5/12
- 本发明可抑制因折射率耦合型衍射光栅或者周期构造层的深度发生波动而引起的光耦合系数的波动。半导体光元件(100)具有半导体衬底(1)、衍射光栅(2)、衍射光栅掩埋层(3)、有源层(4)及包层(5)。衍射光栅(2)包含有在半导体衬底(1)上沿激光出射方向(Z方向)排列的多个光栅片(2a)。光栅片(2a)分别具有下侧部分(9)及设置在下侧部分(9)上的上侧部分(6)。光栅片(2a)各自的下侧部分(9)相连结，在衍射光栅(2)的下部形成1个层。上侧部分(6)具有第1折射率n1，下侧部分(9)具有第2折射率n2(其中n2
- 内含碲化银量子点的分布反馈激光器及其制备方法-201811193785.3
- 廖晨 - 南京邮电大学
- 2018-10-15 - 2019-01-29 - H01S5/12
- 本发明公开了一种内含碲化银量子点的分布反馈激光器及其制备方法，该分布反馈激光器包括依次向上设置的石英基板、内含碲化银量子点的二氧化硅周期光栅。本发明利用低毒的最低量子态2重简并的碲化银量子点替代最低量子态8重简并的铅盐量子点，以实现低阈值的近红外光增益。二氧化硅的光热稳定性远高于有机聚合物。用内含碲化银量子点的二氧化硅薄膜制备周期光栅，最终能够获得低阈值、高稳定性和环境友好的分布反馈近红外量子点激光器。
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