[发明专利]一种芯片中特定电路测试用微型衬垫结构及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201611042082.1 申请日: 2016-11-22
公开(公告)号: CN106783802A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 顾珍;田志;殷冠华;陈昊瑜;姬峰 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 代理人: 吴世华,陈慧弘
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种芯片中特定电路测试用微型衬垫结构,其从下到上依次包括顶部金属层、形成有铝衬垫层的第一通孔层间介质层和第二通孔层间介质层、具有铝衬垫开口的第一钝化层介质层以及具有钝化层开口区的第二钝化层介质层和第一钝化层介质层;其中,铝衬垫在第一钝化层介质层中具有铝延长部,钝化层开口位于铝延长部,且钝化层开口的底部同铝衬垫相接触,以使钝化层开口与铝衬垫开口区错开。本发明是将铝衬垫的铝延长到外部,在这个延长的铝上面制作钝化层的开口,保证钝化层的开口与铝衬垫开口的区域错开,从而可以防止钝化层开口时,由于微型衬垫的铝开口凹陷导致的氧化层残留的风险,且提高了微型衬垫的最终平整的表面和探测的可行性。
搜索关键词: 一种 芯片 特定 电路 测试 微型 衬垫 结构 及其 制作方法
【主权项】:
一种芯片中特定电路测试用微型衬垫结构,其特征在于,从下到上依次包括:顶部金属层、形成有铝衬垫层的第一通孔层间介质层和第二通孔层间介质层、具有铝衬垫开口的第一钝化层介质层以及具有钝化层开口区的第二钝化层介质层和第一钝化层介质层;其中,所述铝衬垫在所述的第一钝化层介质层中具有铝延长部,所述钝化层开口位于所述铝延长部,且所述钝化层开口的底部同所述铝衬垫相接触,以使所述钝化层开口与所述铝衬垫开口区错开。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611042082.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top