[发明专利]一种芯片中特定电路测试用微型衬垫结构及其制作方法在审
申请号: | 201611042082.1 | 申请日: | 2016-11-22 |
公开(公告)号: | CN106783802A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 顾珍;田志;殷冠华;陈昊瑜;姬峰 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人: | 吴世华,陈慧弘 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种芯片中特定电路测试用微型衬垫结构,其从下到上依次包括顶部金属层、形成有铝衬垫层的第一通孔层间介质层和第二通孔层间介质层、具有铝衬垫开口的第一钝化层介质层以及具有钝化层开口区的第二钝化层介质层和第一钝化层介质层;其中,铝衬垫在第一钝化层介质层中具有铝延长部,钝化层开口位于铝延长部,且钝化层开口的底部同铝衬垫相接触,以使钝化层开口与铝衬垫开口区错开。本发明是将铝衬垫的铝延长到外部,在这个延长的铝上面制作钝化层的开口,保证钝化层的开口与铝衬垫开口的区域错开,从而可以防止钝化层开口时,由于微型衬垫的铝开口凹陷导致的氧化层残留的风险,且提高了微型衬垫的最终平整的表面和探测的可行性。 | ||
搜索关键词: | 一种 芯片 特定 电路 测试 微型 衬垫 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种芯片中特定电路测试用微型衬垫结构,其特征在于,从下到上依次包括:顶部金属层、形成有铝衬垫层的第一通孔层间介质层和第二通孔层间介质层、具有铝衬垫开口的第一钝化层介质层以及具有钝化层开口区的第二钝化层介质层和第一钝化层介质层;其中,所述铝衬垫在所述的第一钝化层介质层中具有铝延长部,所述钝化层开口位于所述铝延长部,且所述钝化层开口的底部同所述铝衬垫相接触,以使所述钝化层开口与所述铝衬垫开口区错开。
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