[发明专利]含Al氮化物半导体结构及其外延生长方法有效
| 申请号： | 201611038436.5 | 申请日： | 2016-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN106783533B | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 郝茂盛;袁根如;张楠 | 申请（专利权）人： | 上海芯元基半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201209 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种含Al氮化物半导体结构及其外延生长方法，包括以下步骤：1）提供衬底；2）在所述衬底上形成III‑V族氮化物凸条结构或凸岛结构；3）在所述凸条结构或所述凸岛结构表面外延交替生成GaN层与第一含Al氮化物层以形成交替层叠结构，所述交替层叠结构填满相邻所述凸条结构或所述凸岛结构之间的间隙，且所述交替层叠结构的最顶层为上表面为平面的第一含Al氮化物层。本发明的外延生长方法能够在较低的生长温度条件下、较短的生长时间内得到一定厚度且表面非常平整的含Al氮化物外延片，不仅大大降低了生长成本，而且生长过程中充分的释放了生长应力，大大提高了外延晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | al 氮化物 半导体 结构 及其 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种含Al氮化物半导体结构的外延生长方法，其特征在于，包括以下步骤：/n1)提供衬底；/n2)在所述衬底上形成周期性分布的III-V族氮化物凸条结构或凸岛结构；/n3)在所述凸条结构或所述凸岛结构表面外延交替生成GaN层与第一含Al氮化物层以形成交替层叠结构；所述交替层叠结构中，一层所述GaN层与与其相邻的一层所述第一含Al氮化物层构成一个交替周期，所述交替层叠结构包括至少5个所述交替周期；多个所述交替周期的所述GaN层及所述第一含Al氮化物层共同填满相邻所述凸条结构或所述凸岛结构之间的间隙，且所述交替层叠结构的最顶层为上表面为平面的第一含Al氮化物层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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