[发明专利]一种同轴自旋电容及制备方法在审

专利信息
申请号: 201611034674.9 申请日: 2016-11-23
公开(公告)号: CN106783809A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 彭晖;王韵秋;段纯刚 申请(专利权)人: 华东师范大学
主分类号: H01L23/64 分类号: H01L23/64
代理公司: 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙)31215 代理人: 徐筱梅,张翔
地址: 200241 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种同轴自旋电容及制备方法,其制备方法是在非磁性导体上沉积一层磁性材料,然后插入导电离子溶胶中;所述非磁性导体为铜、铝等导电金属及合金或氟掺杂的氧化锡、氧化铟锡等导电氧化物;磁性材料为镍、钴、铁等铁磁金属及其合金或分子磁性材料;所述导电离子溶胶为导电离子液制成的离子胶。本发明所制备的自旋电容中所存储的电子自旋方向一致,具有存储电子自旋信息的功能。其制备方法操作步骤简单,成本低,易于实施,并且安全、环保。
搜索关键词: 一种 同轴 自旋 电容 制备 方法
【主权项】:
一种同轴自旋电容,其特征在于,在非磁性导体表面沉积一层磁性材料,形成磁性材料包裹的同轴电极,将该同轴电极插入导电离子溶胶中与相应的对电极组成同轴自旋电容,其中:所述非磁性导体为铜、铝、银、金、铂及相应的合金、氟掺杂的氧化锡或氧化铟锡导电氧化物;所述磁性材料为镍、钴、铁、钆及相应的合金或锰、铁、钴,镍的有机配合物分子磁体;所述导电离子溶胶为导电离子液制成的离子胶;所述对电极为铜、铝、银、金、铂及相应的合金、氟掺杂的氧化锡或氧化铟锡导电氧化物。
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