[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法在审
| 申请号： | 201610989745.4 | 申请日： | 2016-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN108074811A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/265;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底上具有多个分立的鳍部；形成横跨所述鳍部的伪栅结构，所述伪栅结构覆盖鳍部部分顶部和侧壁表面；对位于所述伪栅结构下方的鳍部进行离子注入；在所述离子注入之后，去除所述伪栅结构；去除伪栅结构后，形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖鳍部部分顶部和侧壁表面。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍部 伪栅结构 鳍式场效应晶体管 侧壁表面 栅极结构 衬底 去除 离子 横跨 分立 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有多个分立的鳍部；形成横跨所述鳍部的伪栅结构，所述伪栅结构覆盖鳍部部分顶部和侧壁表面；对位于所述伪栅结构下方的鳍部进行离子注入；在所述离子注入之后，去除所述伪栅结构；去除伪栅结构后，形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖鳍部部分顶部和侧壁表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
