[发明专利]制造半导体装置中的栅极结构的方法在审
| 申请号： | 201610947634.7 | 申请日： | 2016-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN106653588A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 陈俊纮;刘维恩;陈亮吟;于雄飞;张惠政 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 制造半导体装置中的栅极结构的方法，包括在半导体基板上方形成栅极介电层。在栅极介电层上方形成覆盖层。利用第一氢等离子处理覆盖层以形成第一经处理覆盖层。在第一经处理覆盖层上方形成栅电极。方法可进一步包括利用氮等离子处理处理第一经处理覆盖层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 中的 栅极 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种制造一半导体装置中的一栅极结构的方法，其特征在于，包含：在一基板上方形成一栅极介电层；在该栅极介电层上方形成一覆盖层；利用一第一氢等离子处理该覆盖层以形成一第一经处理覆盖层；以及在该第一经处理覆盖层上方形成一栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
