[发明专利]高压半导体组件以及其制作方法有效
| 申请号： | 201610917428.1 | 申请日： | 2016-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN107978634B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 萧世楹;刘冠良;杨庆忠;江品宏 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高压半导体组件以及其制作方法，利用于半导体基底中形成凹陷，再于凹陷中形成栅极介电层以及主栅极结构。因此，以本发明制作方法形成的高压半导体组件可包括主栅极结构低于半导体基底中的隔离结构的上表面，由此可避免因高压半导体组件所需厚度较厚的栅极介电层所导致的栅极结构高度过高而影响与其他半导体组件之间的制作工艺整合问题。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 半导体 组件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种高压半导体组件，包括：半导体基底；两个隔离结构，设置于该半导体基底中；栅极介电层，设置于该两个隔离结构之间，其中该栅极介电层低于各该隔离结构的一上表面；主栅极结构，设置于该栅极介电层上，其中该主栅极结构低于各该隔离结构的该上表面；以及两个次栅极结构，其中各该次栅极结构部分设置于该主栅极结构上且部分设置于该两个隔离结构的其中一者上。
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