[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，属于薄膜晶体管制备技术领域，可解决至少部分现有薄膜晶体管制备工艺复杂或接触电阻大的问题。该薄膜晶体管制备方法包括：形成半导体层和光刻胶层；对光刻胶层进行阶梯曝光后显影，形成光刻胶层完全去除的第一区域，光刻胶层部分保留的第二区域，和光刻胶层完全保留的第三区域；除去第一区域的半导体层，形成包括有源区的图形；减薄光刻胶层，将第二区域的光刻胶层完全除去，而第三区域保留部分光刻胶层；使第二区域的有源区导体化，形成欧姆接触层；剥离第三区域的光刻胶层；通过构图工艺至少在第三区域形成包括源极、漏极的图形。

主权项

1.一种薄膜晶体管制备方法，其特征在于，包括：在基底上依次形成半导体层和光刻胶层；对所述光刻胶层进行阶梯曝光，之后显影，形成光刻胶层完全去除的第一区域，光刻胶层部分保留的第二区域，和光刻胶层完全保留的第三区域；除去所述第一区域的半导体层，形成包括有源区的图形；减薄所述光刻胶层，将所述第二区域的光刻胶层完全除去，而所述第三区域保留部分光刻胶层；使所述第二区域的有源区导体化，形成欧姆接触层；剥离所述第三区域的光刻胶层；通过构图工艺至少在第二区域形成包括源极、漏极的图形；所述使所述第二区域的有源区导体化包括：通过离子注入工艺使所述第二区域的有源区导体化。