[发明专利]封装结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201610894159.1 申请日: 2016-10-14
公开(公告)号: CN107644848A 公开(公告)日: 2018-01-30
发明(设计)人: 黄立贤;苏安治;陈宪伟;曾华伟;王若梅;杨天中;卢贯中 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/498;H01L21/56
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司32243 代理人: 顾伯兴
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明实施例提供一种封装结构及其制造方法。封装结构包括第一芯片、第二芯片、封装模塑体、第一布线层、第一贯穿介层孔、第二贯穿介层孔、电磁干扰屏蔽层及导电部件。第一芯片包覆在封装模塑体内。第二芯片设置在封装模塑体上。第一布线层位在封装模塑体和导电部件之间并电性连接第一芯片及第二芯片。封装模塑体位于第二芯片和第一布线层之间。第一贯穿介层孔及第二贯穿介层孔包覆在封装模塑体内并电性连接第一布线层。第二贯穿介层孔位于第一芯片和第一贯穿介层孔之间。电磁干扰屏蔽层设置在第二芯片上并与第一贯穿介层孔接触。导电部件连接第一布线层。
搜索关键词: 封装 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
一种封装结构,其特征在于,包括:至少一第一芯片,包覆在封装模塑体内;至少一第二芯片,设置在所述封装模塑体上;第一布线层,设置在所述封装模塑体上并电性连接至所述第一芯片以及所述第二芯片,其中所述封装模塑体位于所述第二芯片与所述第一布线层之间;至少一第一贯穿介层孔,包覆在所述封装模塑体内并电性连接至所述第一布线层;第二贯穿介层孔,包覆在所述封装模塑体内并电性连接至所述第一布线层,其中所述第二贯穿介层孔位于所述第一芯片与所述第一贯穿介层孔之间;电磁干扰屏蔽层,设置在所述第二芯片上并与所述第一贯穿介层孔相接触;以及导电部件,连接所述第一布线层,其中所述第一布线层位于所述导电部件与所述封装模塑体之间。
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