[发明专利]半导体性碳纳米管红外光探测成像器

摘要

本发明提供一种半导体性碳纳米管红外探测成像器，其包含含有碳纳米管级联光电压探测器的像元模块，所述碳纳米管级联光电压探测器设有作为导电通道和吸光材料的半导体性碳纳米管薄膜，所述半导体性碳纳米管薄膜上设有非对称接触电极以及虚电极对，本发明还提供其制备方法；本发明的半导体性碳纳米管薄膜红外探测成像器提高了输出光电压，并且有效的提高信噪比探测率，加工工艺简单，可以极大的降低传统红外探测器连接中由复杂工艺带来的高成本，特别适用于是制备小尺寸高性能低成本的室温工作的红外光探测成像器。

主权项

一种半导体性碳纳米管红外探测成像器，其特征在于：其包含含有碳纳米管级联光电压探测器的像元模块，所述碳纳米管级联光电压探测器设有作为导电通道和吸光材料的半导体性碳纳米管薄膜，所述半导体性碳纳米管薄膜上设有非对称接触电极以及虚电极对。