[发明专利]一种发光二极管的制作方法有效
| 申请号： | 201610809998.9 | 申请日： | 2016-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN106206898B | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 陈功;林素慧;许圣贤;彭康伟;张家宏;林潇雄;王庆 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361003 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种发光二极管的制作方法，包括：提供一磊晶片，并沉积一金属Ni层；将所述金属Ni层图案化，定义P型半导体区域上的金属Ni层保留，N型半导体区域上的金属Ni层去除；将具图案化金属Ni层的磊晶片进行退火处理，退火后，金属Ni层在磊晶片上呈现颗粒状分布；在所述金属Ni颗粒上形成掩膜层；以所述金属Ni颗粒及掩膜层作为掩膜结构，进行蚀刻工艺，先进行第一步蚀刻，使得掩膜层内缩，然后再进行第二步蚀刻，得到具有倾斜表面的发光二极管，且倾斜表面形成纳米微结构。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 发光二极管 掩膜层 磊晶 蚀刻 倾斜表面 退火 纳米微结构 图案化金属 蚀刻工艺 退火处理 掩膜结构 颗粒状 图案化 内缩 沉积 去除 制作 保留 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的制作方法，包括步骤：（1）提供一磊晶片，并沉积一金属Ni层；（2）将所述金属Ni层图案化，定义P型半导体区域上的金属Ni层保留，N型半导体区域上的金属Ni层去除；（3）将具图案化金属Ni层的磊晶片进行退火处理，退火后，金属Ni层在磊晶片上呈现颗粒状分布；（4）在所述金属Ni颗粒上形成掩膜层；（5）以所述金属Ni颗粒及掩膜层作为掩膜结构，进行蚀刻工艺，先进行第一步蚀刻，使得掩膜层内缩，然后再进行第二步蚀刻，得到具有倾斜表面的发光二极管，且倾斜表面形成纳米微结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门市三安光电科技有限公司，未经厦门市三安光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610809998.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
