[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201610805514.3 | 申请日： | 2016-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN107799388B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 王贤超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/13 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 曲瑞 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。该制造方法包括：提供半导体结构，该半导体结构包括：衬底以及位于该衬底上的多层膜，其中所述多层膜形成台阶；形成覆盖在台阶上的保护层；在保护层上形成覆盖所述半导体结构的覆盖层；以及去除所述多层膜中的至少一层膜以形成由覆盖层与所述多层膜中剩余的至少一层膜构成的空腔。本发明可以解决现有技术中形成空腔时所使用的刻蚀工艺对覆盖层的台阶造成损害而产生裂缝的问题，从而可以提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括：衬底以及位于所述衬底上的多层膜，其中所述多层膜形成台阶；形成覆盖在所述台阶上的保护层；在所述保护层上形成覆盖所述半导体结构的覆盖层；以及去除所述多层膜中的至少一层膜以形成由所述覆盖层与所述多层膜中剩余的至少一层膜构成的空腔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
