[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体结构，所述半导体结构包括：衬底以及位于所述衬底上的多层膜，其中所述多层膜形成台阶，所述多层膜包括：位于所述衬底上的第一绝缘物层、位于所述第一绝缘物层上的第一半导体层、以及在所述第一半导体层上的第二绝缘物层，所述第一绝缘物层、所述第一半导体层和所述第二绝缘物层形成台阶形状；

形成覆盖在所述台阶上的保护层，其中，形成所述保护层的步骤包括：在所述第二绝缘物层上形成图案化的第二半导体层，并且在所述台阶上形成与所述第二半导体层隔离开的保护层；

在所述保护层上形成覆盖所述半导体结构的覆盖层；以及

去除所述多层膜中的至少一层膜以形成由所述覆盖层与所述多层膜中剩余的至少一层膜构成的空腔；

其中，所述覆盖层的内表面呈台阶形状，所述保护层位于所述覆盖层的内表面的台阶上，所述保护层直接接触所述覆盖层的内表面且覆盖所述覆盖层的台阶的一部分或者全部。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在形成覆盖在所述台阶上的保护层的步骤中，所述保护层覆盖所述多层膜的台阶的一部分或者全部。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述保护层的材料包括：多晶硅、氮化硅、铜、金或铂。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第二半导体层与所述保护层的材料相同，

形成所述第二半导体层和所述保护层的步骤包括：

在提供半导体结构之后，形成覆盖所述半导体结构的材料层；以及

对所述材料层执行图案化以将所述材料层分隔开，其中在所述第二绝缘物层上的所述材料层的一部分作为第二半导体层，以及在所述台阶上的所述材料层的一部分作为保护层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述衬底的材料包括硅；

所述第一半导体层和所述第二半导体层的材料分别包括多晶硅；

所述第一绝缘物层和所述第二绝缘物层的材料分别包括二氧化硅；

所述覆盖层的材料包括氮化硅。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第二半导体层形成有到所述第二绝缘物层的第一通孔。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，

在所述保护层上形成覆盖所述半导体结构的覆盖层的步骤包括：

通过沉积工艺在所述半导体结构上形成覆盖层；以及

对所述覆盖层执行刻蚀以形成露出所述第一半导体层的一部分的第一凹陷、露出所述第二半导体层的一部分的第二凹陷、以及与所述第一通孔相对准的第二通孔，

其中，所述第一通孔与所述第二通孔一起作为穿过所述覆盖层和所述第二半导体层并且到所述第二绝缘物层的通孔。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，

在形成所述覆盖层之后以及在形成所述空腔之前，所述方法还包括：

在所述第一凹陷的至少底部上形成第一接触层；以及

在所述第二凹陷的底部和侧壁上形成第二接触层，其中所述第二接触层延展到所述覆盖层的外表面上。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，

在形成所述第一接触层和所述第二接触层之后，以及在形成所述空腔之前，所述方法还包括：

去除所述衬底的一部分以形成第三凹陷，所述第三凹陷露出所述第一绝缘物层的下表面的一部分。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，

去除所述多层膜中的至少一层膜以形成所述空腔的步骤包括：

在形成所述第三凹陷之后，去除所述第二绝缘物层以形成由所述覆盖层与所述第一半导体层构成的空腔，以及去除所述第一绝缘物层的一部分以露出所述第一半导体层的下表面的一部分。