[发明专利]用于氮化物生长的具有双缓冲层的外延片的制备方法在审
| 申请号： | 201610747324.0 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN106206892A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 王明洋;戴俊;李志聪;闫其昂;孙一军;王国宏 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00;H01L21/203;H01L21/205;C23C16/44;C23C14/22 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 用于氮化物生长的具有双缓冲层的外延片的制备方法，涉及半导体光电子器件制造领域，本发明首先利用有机化学气相沉积法（MOCVD）在衬底上原位生长AlxIn1‑xN层，形成第一缓冲层，可通过调配AlxIn1‑xN缓冲层原子组分，改良溅射式AlN缓冲层的应力，同时对AlN第二缓冲层产生一定张应力，调配AlN第二缓冲层与后续氮化物生长之间的晶格失配度，降低材料生长之间的应力，减少材料间的应力累积，改善材料生长的均一性，从而改善氮化物晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 氮化物 生长 具有 缓冲 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
用于氮化物生长的具有双缓冲层的外延片的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）利用有机化学气相沉积法，在衬底上生长形成AlxIn1‑xN第一缓冲层；其中x为0.75～0.95：2）利用物理气相沉积法，在AlxIn1‑xN第一缓冲层上沉积形成AlN第二缓冲层；3）利用有机化学气相沉积法，在AlN第二缓冲层上生长氮化物外延层。
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