[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201610738843.0 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN107785313B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，包括：形成基底；在所述基底上形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的基底内分别形成开口；在所述开口靠近栅极结构一侧的侧壁上形成阻挡层；在所述开口内形成掺杂层，在所述掺杂层中形成源区或漏区。本发明通过在栅极结构两侧的基底内形成开口后，在所述开口靠近栅极结构一侧的侧壁上形成阻挡层；之后在侧壁形成有阻挡层的开口内形成掺杂层。所述阻挡层的形成能够有效减少形成源区或漏区过程中，所述掺杂层内的掺杂离子向栅极结构下方沟道区域内的扩散，有利于缓解由于掺杂离子扩散而造成的短沟道效应，有利于提高所形成半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：形成基底；在所述基底上形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的基底内分别形成开口；在所述开口靠近栅极结构一侧的侧壁上形成阻挡层；在所述开口内形成掺杂层，在所述掺杂层中形成源区或漏区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610738843.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种能够去除冰箱异味的负离子空气净化器
- 下一篇：一种市政施工用警示牌
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
