[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置

摘要

提供一种半导体装置的制造方法及半导体装置，在半导体装置的测试中抑制焊锡接合不良而提高测试的可靠性。半导体装置的制造方法中，准备具有具备第一罩膜(2r)的第一焊盘电极(2aa)和具备第二罩膜(2t)的第二焊盘电极(2ab)的半导体晶圆(1)，而且形成在第一焊盘电极(2aa)上具有第一开口且在第二焊盘电极(2ab)上具有第二开口的聚酰亚胺层(2d)，然后形成经由第二开口与第二焊盘电极(2ab)连接的再配置布线(2e)。接着，以在第一焊盘电极(2aa)及再配置布线(2e)的凸块台(2ac)留下有机反应层(2ka、2kb)的方式在聚酰亚胺层(2f)形成开口，对半导体晶圆(1)实施热处理，然后在再配置布线(2e)上形成凸块。

主权项

一种半导体装置的制造方法，具有：(a)工序，准备半导体基板，该半导体基板具有：第一焊盘电极，形成于多个布线层的最上层，且在表面形成有第一金属膜；和第二焊盘电极，与所述第一焊盘电极电连接并且形成于所述多个布线层的最上层，且在表面形成有第二金属膜；(b)工序，形成第一绝缘膜，该第一绝缘膜具有使所述第一焊盘电极的所述第一金属膜露出的第一开口和使所述第二焊盘电极的所述第二金属膜露出的第二开口；(c)工序，在所述第一绝缘膜上形成覆盖所述第一开口且使所述第二开口露出的掩膜层；(d)工序，形成经由所述第二开口与所述第二焊盘电极电连接的布线；(e)工序，在所述第一焊盘电极上和所述布线上形成第二绝缘膜；(f)工序，以在所述第一焊盘电极及所述布线各自的表面留下有机反应层的方式，在所述第二绝缘膜的所述第一焊盘电极上形成第三开口，且在所述第二绝缘膜的所述布线上形成第四开口；(g)工序，在所述(f)工序之后对所述半导体基板实施热处理；以及(h)工序，在所述第四开口的所述布线上形成凸块。