[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610719305.7 | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN106653735A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 杨青峰;吕俊麟;吴凯强;陈颉彦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/58;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例提供一种半导体器件，包括半导体管芯，半导体管芯具有设置在半导体管芯的周边中的防护环。半导体器件还包括位于防护环上方的导电焊盘。半导体器件还具有部分地覆盖导电焊盘的钝化件和位于钝化件上方的钝化后互连件(PPI)，并且钝化件包括凹槽以暴露导电焊盘的一部分。在半导体器件中，导体从凹槽向上延伸并且连接至PPI的一部分。本发明的实施例还提供了半导体器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体管芯，所述半导体管芯包括设置在所述半导体管芯的周边中的防护环；导电焊盘，所述导电焊盘位于所述防护环上方；钝化件，所述钝化件部分地覆盖所述导电焊盘，并且所述钝化件包括凹槽以暴露所述导电焊盘的一部分；钝化后互连件(PPI)，所述钝化后互连件位于所述钝化件上方；以及导体，所述导体从所述凹槽向上延伸并且连接至所述钝化后互连件的一部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610719305.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：测试线结构以及用于执行晶圆验收测试的方法
- 下一篇：半导体结构及其制造方法
