[发明专利]FINFET器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610671579.3 | 申请日： | 2016-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN106505104B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 彭彦明;刘继文;黄信杰;许一如;曾鸿辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供一种FinFET器件，FinFET器件包括衬底、形成在衬底上的鳍和横越鳍的栅电极。栅电极包括头部和尾部，并且尾部连接至头部并且向衬底延伸。头部的宽度大于尾部的宽度。本发明的实施例还提供了另一种FinFET器件及用于制造FinFET器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种FinFET器件，包括：衬底；鳍，形成在所述衬底上；以及栅极堆叠件，包括栅电极并且横越所述鳍，所述栅电极包括头部和尾部，所述尾部连接至所述头部并且向所述衬底延伸，其中，所述头部的宽度大于所述尾部的宽度。
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