[发明专利]FINFET器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610669330.9 | 申请日： | 2016-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN106531804A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 李彥儒;李启弘;郭建亿;丁姮彣;戴荣吉;舒丽丽;萧扬泰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括半导体衬底、多个半导体鳍和源极/漏极结构。半导体鳍和源极/漏极结构位于半导体衬底上，并且源极/漏极结构与半导体鳍连接。源极/漏极结构包括具有W‑形横截面的顶部用于形成接触接合区。半导体器件还可包括位于顶部的多个凹进的部分上的多个覆盖层。本发明实施例涉及FINFET器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；源极结构，位于所述半导体衬底上；漏极结构，位于所述半导体衬底上；以及多个半导体鳍，从所述半导体衬底突出，其中，所述半导体鳍彼此间隔开并且连接所述源极结构和所述漏极结构；其中，所述源极结构和所述漏极结构的每个均包括具有W‑形横截面的顶部以用于形成接触接合区。
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