[发明专利]三维集成电路结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201610649598.6 | 申请日： | 2016-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN106486466A | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 郑光伟;陈怡秀;杨固峰;邱文智 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/48;H01L21/98;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三维集成电路结构和及其制造方法。三维集成电路结构包括第一芯片和第二芯片。第一芯片在接合界面处接合至第二芯片。第一芯片的通孔和第二芯片的接合焊盘电连接，并且通孔的扩散阻挡层在接合界面处接触接合焊盘。本发明实施例涉及三维集成电路结构及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 三维集成电路 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种三维集成电路结构，包括：第一芯片，在接合界面处接合至第二芯片，其中，所述第一芯片的通孔和所述第二芯片的接合焊盘电连接，并且所述通孔的扩散阻挡层在所述接合界面处接触所述接合焊盘。
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