[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

摘要

本案发明涉及一种半导体存储装置及其制造方法。半导体存储装置具备：衬底；积层体，配置在衬底上，且具有隔着绝缘层堆叠而成的多个电极层；第1半导体膜，一体地配置在积层体内及衬底内；第1绝缘膜，配置在积层体内及衬底内，且具有电荷存储膜；及第2半导体膜，配置在积层体内及衬底内。第1半导体膜具有：第1半导体部，配置在积层体内；及第2半导体部，配置在衬底内。第1绝缘膜具有：第1绝缘部，配置在第1半导体部与多个电极层之间；及第2绝缘部，配置在衬底内。第2半导体膜具有：第3半导体部，配置在第1半导体部与第1绝缘部之间；及第4半导体部，配置在衬底内。

主权项

1.一种半导体存储装置，其特征在于具备：衬底；积层体，配置在所述衬底上，且具有隔着绝缘层堆叠而成的多个电极层；第1半导体膜，一体地配置在所述积层体内及所述衬底内，且具有：配置在所述积层体内且沿所述积层体的堆叠方向延伸的第1半导体部、及配置在所述衬底内且与所述衬底相接的第2半导体部；第1绝缘膜，配置在所述积层体内及所述衬底内，具有电荷存储膜，且具备：配置在所述第1半导体部与所述多个电极层之间沿所述堆叠层方向延伸且具有与所述第2半导体部相接的下表面的第1绝缘部、及配置在所述衬底内隔着所述第2半导体部而与所述第1绝缘部相隔且与所述衬底及所述第2半导体部相接的第2绝缘部；以及第2半导体膜，配置在所述积层体内及所述衬底内，且具备：配置在所述第1半导体部与所述第1绝缘部之间沿所述堆叠方向延伸且具有比所述第1绝缘部的所述下表面的高度低的下表面的第3半导体部；及配置在所述衬底内且与所述第3半导体部及所述衬底相隔地配置在所述第2半导体部与所述第2绝缘部之间的第4半导体部。