[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
申请号: | 201610624175.9 | 申请日: | 2016-08-02 |
公开(公告)号: | CN106653744B | 公开(公告)日: | 2020-12-01 |
发明(设计)人: | 陈颉彦;郭鸿毅;王垂堂;蔡豪益;余振华;陈韦廷;曾明鸿;林彦良 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/768;H01Q1/22;H01Q1/24 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种半导体结构包括:配置为与器件通信的收发器;围绕该收发器的模塑件;延伸穿过模塑件的导电通道;在模塑件、导电通道和收发器上方设置的绝缘层;以及在绝缘层上方设置的且包括天线和围绕天线的介电层的再分布层(RDL),其中,天线的部分延伸穿过绝缘层和模塑件以与收发器电连接。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。 | ||
搜索关键词: | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体结构,包括:收发器,配置为与器件通信;模塑件,围绕所述收发器;导电通道,延伸穿过所述模塑件;绝缘层,设置所述模塑件、所述导电通道和所述收发器上方;以及再分布层(RDL),设置在所述绝缘层上方,且所述再分布层包括天线和围绕所述天线的介电层,其中,所述天线的部分延伸穿过所述绝缘层和所述模塑件以与所述收发器电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的