[发明专利]半导体结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201610624175.9 申请日: 2016-08-02
公开(公告)号: CN106653744B 公开(公告)日: 2020-12-01
发明(设计)人: 陈颉彦;郭鸿毅;王垂堂;蔡豪益;余振华;陈韦廷;曾明鸿;林彦良 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L21/768;H01Q1/22;H01Q1/24
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种半导体结构包括:配置为与器件通信的收发器;围绕该收发器的模塑件;延伸穿过模塑件的导电通道;在模塑件、导电通道和收发器上方设置的绝缘层;以及在绝缘层上方设置的且包括天线和围绕天线的介电层的再分布层(RDL),其中,天线的部分延伸穿过绝缘层和模塑件以与收发器电连接。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。
搜索关键词: 半导体 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体结构,包括:收发器,配置为与器件通信;模塑件,围绕所述收发器;导电通道,延伸穿过所述模塑件;绝缘层,设置所述模塑件、所述导电通道和所述收发器上方;以及再分布层(RDL),设置在所述绝缘层上方,且所述再分布层包括天线和围绕所述天线的介电层,其中,所述天线的部分延伸穿过所述绝缘层和所述模塑件以与所述收发器电连接。
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