[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201610600300.2 | 申请日： | 2016-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN106495086A | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 郑钧文;朱家骅;赖飞龙;林详淇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C3/00;G01N27/00;G01N27/12 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括第一器件和第二器件。第一器件包括第一衬底；穿过第一衬底并且填充有导电或半导体材料的多个通孔；第一氧化物层，围绕导电或半导体材料；腔体，被第一衬底围绕；金属材料，设置在第一表面上方；第二氧化物层，设置在第二表面上方；膜，设置在第二氧化物层和腔体上方；加热器，设置在膜内；感测电极，设置在膜和加热器上方；以及感测材料，设置在腔体上方并且与感测电极接触。第二器件包括第二衬底和设置在第二衬底上方的接合结构。金属材料与接合结构接合以将第一器件与第二器件集成。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：第一器件，包括：第一衬底，包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、和穿过所述第一衬底并且填充有导电或半导体材料的多个通孔，并且第一氧化物层围绕所述导电或半导体材料；腔体，被所述第一衬底围绕；金属材料，设置在所述第一表面上方，覆盖所述多个通孔中的一些以及与所述第一衬底电连接；第二氧化物层，设置在所述第二表面上方；膜，设置在所述第二氧化物层和所述腔体上方；加热器，设置在所述膜内并且通过所述氧化物层与所述第一衬底电连接；感测电极，设置在所述膜和所述加热器上方；以及感测材料，设置在所述腔体上方并且与所述感测电极接触，以及第二器件，包括：第二衬底；和接合结构，设置在所述第二衬底上方，其中，所述金属材料与所述接合结构接合以将所述第一器件与所述第二器件集成。
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