[发明专利]半导体装置、片上系统、移动装置和半导体系统有效
申请号: | 201610561616.5 | 申请日: | 2016-07-15 |
公开(公告)号: | CN106356371B | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
发明(设计)人: | 卞晟铢 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L21/768 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供了一种半导体装置、片上系统、移动装置和半导体系统,所述半导体装置包括半导体基底和位于半导体基底上方的多个金属层。金属层中的第一层包括:多条第一电源轨,沿第一方向延伸并提供第一电压;多条第二电源轨,沿第一方向延伸并提供第二电压;以及第一导体,与第一电源轨中的每条第一电源轨的一端成为一体并且在第二方向上延伸。第一方向垂直于第二方向。第一电压是地电压和电源电压中的一种电压,第二电压是另一种电压。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 系统 移动 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,所述半导体装置包括:半导体基底;以及多个金属层,一个在另一个上地设置在半导体基底上,其中,所述多个金属层中的至少一个金属层中的每个包括:多条第一电源轨,专用于连接到第一电压并且所述多条第一电源轨中的每条第一电源轨沿第一方向纵向延伸;多条第二电源轨,专用于连接到第二电压并且所述多条第二电源轨中的每条第二电源轨沿第一方向纵向延伸;以及第一导体,在所述多条第一电源轨的第一端处分别与所述多条第一电源轨中的每条第一电源轨成为一体,并且在第二方向上跨越所述多条第一电源轨。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的