[发明专利]一种异质结终端的碳化硅功率器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201610541460.4 | 申请日： | 2016-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN106169417A | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 刘成;叶念慈;黄侯魁 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种异质结终端的碳化硅功率器件，包括阴极电极、衬底层、N型SiC外延层及阳极电极，还包括间隔分立的若干P型结构，该些P型结构由生长温度低于SiC的P型半导体材料通过异质外延生长形成于所述N型SiC外延层之上并至少分布于阳极电极外围以构成异质结终端，有效避免了对N型SiC外延层掺杂特性的影响，可以获得高击穿电压及低器件开启电压的碳化硅器件。本发明还公开了其制作方法，大大减少了对高温复杂工艺的要求，制程简单，减少了制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 异质结 终端 碳化硅 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种异质结终端的碳化硅功率器件，由下至上包括阴极电极、衬底层，N型SiC外延层及阳极电极，其特征在于：还包括间隔分立的若干P型结构，该些P型结构由生长温度低于SiC的P型半导体材料通过异质外延生长形成于所述N型SiC外延层之上并至少分布于阳极电极外围以构成异质结终端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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