[发明专利]一种AMOLED显示基板及其制作方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201610473804.2 申请日: 2016-06-24
公开(公告)号: CN105914229B 公开(公告)日: 2017-12-15
发明(设计)人: 盖翠丽;林奕呈 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L21/77
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司11243 代理人: 许静,黄灿
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及显示技术领域,公开了一种AMOLED显示基板及其制作方法、显示装置。AMOLED显示基板包括两个并联的两个存储电容,并通过一次构图工艺形成TFT的有源层和新增的存储电容的一个电极,且所述电极由导电材料制得,不需要进行导体化等额外的处理,简化了制作工艺,降低了成本。
搜索关键词: 一种 amoled 显示 及其 制作方法 显示装置
【主权项】:
一种AMOLED显示基板的制作方法,包括:形成多个像素单元,形成每一像素单元的步骤包括:形成第一存储电容、薄膜晶体管和发光二极管,其特征在于,通过一次构图工艺形成所述薄膜晶体管的有源层和所述第一存储电容的第一电极,所述第一电极由导体材料制得;通过一次构图工艺形成所述有源层和第一电极的步骤包括:依次形成半导体膜层和导电膜层,对所述半导体膜层和导电膜层进行一次构图工艺,形成所述有源层和第一电极,其中,所述有源层由所述半导体膜层形成,所述第一电极由所述导电膜层形成;所述制作方法还包括:形成覆盖所述有源层和第一电极的刻蚀阻挡层,所述刻蚀阻挡层中包括过孔;在所述刻蚀阻挡层上形成所述薄膜晶体管的源电极和漏电极,所述源电极和漏电极通过所述过孔与所述有源层电性接触;所述漏电极在所述显示基板所在平面上的正投影与所述第一电极在所述显示基板所在平面上的正投影存在交叠区域,所述第一存储电容的第二电极为所述漏电极;所述像素单元还包括:第二存储电容,所述第二存储电容的一个电极为所述漏电极。
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