[发明专利]一种AMOLED显示基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种AMOLED显示基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

近年来，有机发光二极管(organic light emitting diode,OLED)成为国内外非常热门的新兴平面显示器产品，这是因为OLED显示器具有自发光、广视角、短反应时间、高发光效率、广色域、低工作电压、面板薄、可制作大尺寸与可挠曲的面板及制程简单等特性，而且它还具有低成本的潜力。

OLED按照驱动类型可分为无源OLED(PMOLED)和有源OLED(AMOLED)。其中，AMOLED的驱动通常采用氧化物薄膜晶体管(Thin-Film Transistor，简称TFT)背板或低温多晶硅TFT。氧化物TFT背板相比较非晶硅TFT而言，具有相对较高的迁移率，且ESL结构(刻蚀阻挡结构)的TFT相对于低温多晶硅TFT而言，工艺制成简单，掩膜版使用数目少，容易实现量产工艺。

对于现阶段的ESL结构TFT，TFT的寄生电容Cgs比较大，需要足够大的存储电容Cst，才能使显示功能正常。为了增加存储电容Cst的电容量，会形成两个并联的存储电容，并利用制作TFT有源层的半导体材料形成电极，作为其中一个存储电容的Cst的一个电极。但是半导体材料作为Cst的一个电极，需要对其进行导体化工艺处理，但是半导体材料的导体化工艺不容易掌握。

发明内容

本发明提供一种AMOLED显示基板及其制作方法、显示装置，用以提供一种简单的工艺为每一像素单元增加一个存储电容。

为解决上述技术问题，本发明实施例中提供一种AMOLED显示基板的制作方法，包括：

形成多个像素单元，形成每一像素单元的步骤包括：

形成第一存储电容、薄膜晶体管和发光二极管，兵通过一次构图工艺形成所述薄膜晶体管的有源层和所述第一存储电容的第一电极，所述第一电极由导体材料制得。

本发明实施例中还提供一种AMOLED显示基板，采用如上所述的制作方法制得。

本发明实施例中还提供一种显示装置，包括如上所述的AMOLED显示基板。

本发明的上述技术方案的有益效果如下：

上述技术方案中，AMOLED显示基板包括两个并联的两个存储电容，并通过一次构图工艺形成TFT的有源层和新增的存储电容的一个电极，且所述电极由导体材料制得，不需要进行导体化等额外的处理，简化了制作工艺，降低了成本。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1表示本发明实施例中每一像素单元的存储电容的结构示意图；

图2-图7表示本发明实施例中AMOLED显示基板的制作过程示意图一；

图8-图14表示本发明实施例中AMOLED显示基板的制作过程示意图二；

图15表示本发明实施例中AMOLED显示基板的每一像素单元的局部结构示意图。

具体实施方式

本发明提供一种AMOLED显示基板及其制作方法，所述显示基板包括多个像素单元，每一像素单元包括薄膜晶体管和发光二极管，所述发光二极管包括底电极、顶电极及位于底电极和顶电极之间的发光层。所述底电极与所述薄膜晶体管的漏电极电性连接，数据信号通过薄膜晶体管传输至底电极，驱动所述发光二极管发光。每一像素单元还包括存储电容，用于在一帧画面的显示时间内维持所述底电极上的电压，实现画面显示。

为了克服寄生电容的干扰，需要增加存储电容的电容量，本发明设置所述存储电容包括并联的第一存储电容和第二存储电容，则所述存储电容的电容量为第一存储电容和第二存储电容的电容量之和。

其中，所述第二存储电容由所述薄膜晶体管的漏电极、所述发光二极管的顶电极以及位于漏电极和顶电极之间的第一介质层形成。在所述第二存储电容的基础上增加一第一电极，所述第一电极、所述漏电极以及位于所述第一电极和漏电极之间的第二介质层形成所述第一存储电容，使得第一存储电容和第二存储电容并联，提供更大的电容量，在一帧画面的显示时间内维持所述底电极上的电压。

所述顶电极上施加的电压为公共电压，所述第一电极可以与所述顶电极电性连接。

下面将结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。