[发明专利]BiCMOS工艺中的PN结变容器及制造方法

摘要

本发明公开了一种BiCMOS工艺中的PN结变容器，通过采用具有正梯形形状的锗硅生长前定义窗口，能使P型区的锗硅层为多晶结构，从而能提高P型区的掺杂浓度，提高器件正向偏置时的电子发射效率。本发明采用了先进的深孔接触工艺和N型赝埋层的工艺，能极大地节省有源区的面积，有源区的宽度能够缩小至0.3微米，能使有源区两侧的N型赝埋层更加充分的连接，从而能降低器件的寄生NP结效应，以及减少器件的N端连接电阻，提高电流密度。本发明还公开了一种BiCMOS工艺中的PN结变容器的制造方法。

主权项

一种BiCMOS工艺中的PN结变容器，形成于硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，其特征在于，包括：一N型区，由形成于所述有源区中的一N型离子注入区组成，所述N型区的深度大于或等于所述浅槽场氧的底部深度；一赝埋层，由形成于所述N型区周侧的所述浅槽场氧底部的N型离子注入区组成，所述赝埋层和所述N型区的底部相接触，在所述赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成有深孔接触并引出N端；一锗硅生长前定义窗口，由形成于所述有源区上方的第一介质层定义而成，所述锗硅生长前定义窗口位于所述有源区的正上方、所述锗硅生长前定义窗口区域的所述第一介质层被去除而将形成于所述有源区中的所述N型区露出；所述锗硅生长前定义窗口的尺寸小于所述有源区尺寸、且所述锗硅生长前定义窗口的尺寸为0.1微米～0.3微米；所述锗硅生长前定义窗口的剖面结构呈一上边小于等于底边的正梯形、且该正梯形的底边和侧边的夹角为70度～90度；一P型区，由填充于所述锗硅生长前定义窗口中且还延伸到所述锗硅生长前定义窗口外侧的所述第一介质层上的且为P型掺杂的锗硅层组成，该锗硅层呈多晶结构；所述P型区在所述锗硅生长前定义窗口底部和所述N型区相接触；在所述P型区顶部形成有金属接触并引出P端。