[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201610384301.8 | 申请日： | 2016-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN105932053B | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 马雪丽;王文武;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构，包括：半导体衬底；界面层，形成于半导体衬底上；第一介质层，形成于所述界面层上；以及第二介质层，形成于所述第一介质层上，其中，所述第二介质层的相变温度低于所述第一介质层的相变温度。本发明的半导体结构及其形成方法在提高介质层介电常数的同时有助于外界的氧扩散穿过第二介质层并进入第一介质层，减少第一介质层中的氧空位，从而减小栅漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：半导体衬底；界面层，形成于半导体衬底上；第一介质层，形成于所述界面层上；以及第二介质层，形成于所述第一介质层上，其中，所述第一介质层是非晶态，所述第二介质层是多晶态，所述第二介质层的相变温度低于所述第一介质层的相变温度；所述第一介质层是La2O3或者HfO2，所述第二介质层是被原子百分比不超过5％的元素M掺杂后的HfO2或者是被原子百分比不超过5％的元素M掺杂后的ZrO2，其中M元素是Si，Ge，Al，Gd，Y，La，Ti中的一种或多种。
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