[发明专利]半导体背面用薄膜及其用途有效
| 申请号： | 201610382308.6 | 申请日： | 2016-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN106206375B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 高本尚英;木村龙一 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C09J4/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供具有再加工性的半导体背面用薄膜及其用途。一种半导体背面用薄膜，其在热固化前在70℃下对于晶圆的粘接力为7N/10mm以下，25℃下的断裂伸长率为700％以下。半导体背面用薄膜的基于乙醇的溶胀度优选为1重量％以上。半导体背面用薄膜优选包含丙烯酸类树脂。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 背面 薄膜 及其 用途 | ||
【主权项】：
一种半导体背面用薄膜，其在热固化前在70℃下对于晶圆的粘接力为7N/10mm以下，25℃下的断裂伸长率为700％以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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