[发明专利]一种MEMS器件及其制造方法和电子装置有效

专利信息
申请号: 201610345375.0 申请日: 2016-05-23
公开(公告)号: CN107416756B 公开(公告)日: 2020-02-11
发明(设计)人: 郑超;徐卿栋;万久平;嵇刚;王伟 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81C1/00
代理公司: 11336 北京市磐华律师事务所 代理人: 高伟;冯永贞
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种MEMS器件及其制造方法和电子装置。所述方法包括:提供底部晶圆并图案化,以在所述底部晶圆的正面形成目标图案,同时在所述底部晶圆的正面形成若干第一对准标记;提供顶部晶圆,所述顶部晶圆中形成有若干第二对准标记,将所述第一对准标记与所述第二对准标记对准,以将所述顶部晶圆和所述底部晶圆相接合;图案化所述顶部晶圆,以露出所述底部晶圆中的所述第一对准标记并检查所述第一对准标记与所述第二对准标记的对准情况;在所述顶部晶圆上形成与所述底部晶圆中所述目标图案对准的掩膜层。本发明的优点在于:(1)解决了两层图形无法检测图案重叠(Photo Overlay)对准的状况。(2)提高了产品的良率。(3)建立了完善的Inline检测数据。
搜索关键词: 一种 mems 器件 及其 制造 方法 电子 装置
【主权项】:
1.一种MEMS器件的制备方法,其特征在于,所述方法包括:/n提供底部晶圆并图案化,以在所述底部晶圆的正面形成目标图案,同时在所述底部晶圆的正面形成若干第一对准标记;/n提供顶部晶圆,所述顶部晶圆中形成有若干第二对准标记,将所述第一对准标记与所述第二对准标记对准,以将所述顶部晶圆和所述底部晶圆相接合;/n图案化所述顶部晶圆,以露出所述底部晶圆中的所述第一对准标记并检查所述第一对准标记与所述第二对准标记的对准情况;/n在所述顶部晶圆上形成与所述底部晶圆中所述目标图案对准的掩膜层,/n其中,每个所述第一对准标记包括位于所述底部晶圆边缘区域的一个长条形凹槽;/n每个所述第二对准标记包括相邻并且间隔设置的两个凹槽,/n在接合过程中将所述第一对准标记的凹槽对准所述第二对准标记的两个凹槽的中间位置。/n
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