[发明专利]一种MEMS器件及其制造方法和电子装置

权利要求书

1.一种MEMS器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供底部晶圆并图案化，以在所述底部晶圆的正面形成目标图案，同时在所述底部晶圆的正面形成若干第一对准标记；

提供顶部晶圆，所述顶部晶圆中形成有若干第二对准标记，将所述第一对准标记与所述第二对准标记对准，以将所述顶部晶圆和所述底部晶圆相接合；

图案化所述顶部晶圆，以露出所述底部晶圆中的所述第一对准标记并检查所述第一对准标记与所述第二对准标记的对准情况；

在所述顶部晶圆上形成与所述底部晶圆中所述目标图案对准的掩膜层，

其中，每个所述第一对准标记包括位于所述底部晶圆边缘区域的一个长条形凹槽；

每个所述第二对准标记包括相邻并且间隔设置的两个凹槽，

在接合过程中将所述第一对准标记的凹槽对准所述第二对准标记的两个凹槽的中间位置。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述底部晶圆的背面还形成有第三对准标记；

在形成与所述目标图案对准的所述掩膜层的步骤中将所述第三对准标记与光刻掩膜版中的对准标记对准。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一对准标记位于所述底部晶圆的边缘区域。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一对准标记位于所述底部晶圆中距离所述底部晶圆边缘宽度为5mm以内的区域中。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成若干所述第一对准标记的方法包括：

在所述底部晶圆的正面形成第一掩膜层；

图案化所述第一掩膜层，以在位于所述底部晶圆背面的第三对准标记的上方形成所述第一掩膜层并露出所述第三对准标记外侧的所述底部晶圆的边缘区域；

以所述第一掩膜层为掩膜蚀刻所述底部晶圆的正面，以在形成所述目标图案同时形成若干所述第一对准标记；

去除所述第一掩膜层。

6.一种MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件包括：

底部晶圆；

第一对准标记，位于所述底部晶圆中；

顶部晶圆，与所述底部晶圆相接合；

第二对准标记，位于所述顶部晶圆中；

其中，所述第一对准标记与所述第二对准标记对准设置，所述顶部晶圆的尺寸小于所述底部晶圆的尺寸，以露出所述底部晶圆中的所述第一对准标记，

每个所述第一对准标记包括位于所述底部晶圆的边缘区域的一个长条形凹槽；

每个所述第二对准标记包括相邻并且间隔设置的两个凹槽；

所述第一对准标记的凹槽与所述第二对准标记的两个凹槽的中间位置对准。

7.根据权利要求6所述的MEMS器件，其特征在于，所述底部晶圆的背面还形成有第三对准标记，用于与光刻掩膜版中的对准标记对准。

8.根据权利要求6所述的MEMS器件，其特征在于，所述第一对准标记位于所述底部晶圆的边缘区域。

9.一种电子装置，包括权利要求6至8之一所述的MEMS器件。