[发明专利]一种掩膜图形的优化方法、最佳焦平面位置测量方法及系统

摘要

本发明提供一种掩膜图形的优化方法及系统，采用的目标函数为部分相干光源照明、预定焦深范围内不同离焦量下光刻空间像强度分布所对应的图形位置偏移量对离焦量的斜率，该目标函数以光刻成像理论为基础并结合最优化算法，以投影物镜系统最佳焦平面位置的测量灵敏度的评价函数，获得与照明方式相匹配的具有优化的透过率和相位的掩膜图形，可以有效提高部分相干光源照明条件下的最佳焦平面位置的测量灵敏度。同时，通过该优化方法获得的掩膜图形是基于相移掩膜测量原理，在用于最佳焦平面位置的测量时，不需要专门的测量设备和复杂的传感器，可以有效的降低测量成本。

主权项

一种掩膜图形的优化方法，所述掩膜图形用于最佳焦平面位置的测量，其特征在于，包括：S01，提供初始掩膜图形上的不同区域的预设的透过率和相位，初始掩膜图形对应相移掩膜；S02，建立目标函数，获得预设的透过率和相位下的目标函数值，该目标函数值为当前目标函数值，其中，目标函数为部分相干光源照明、预定焦深范围内不同离焦量下光刻空间像强度分布所对应的图形位置偏移量对离焦量的斜率；S03，以预设的透过率和相位为起始点，在优化算法的预设条件下，利用优化算法获得优化后的透过率和相位；S04，通过目标函数获得优化后的透过率和相位下的目标函数值，该目标函数值为优化目标函数值；S05，根据当前目标函数值和优化目标函数值的差值，确定优化后的透过率和相位是否为最优掩膜图形的透过率和相位参数；若否，则重新设定优化算法的预设条件，将优化后的透过率和相位作为预设的透过率和相位，并返回步骤S03。