[发明专利]一种掩膜图形的优化方法、最佳焦平面位置测量方法及系统有效
申请号: | 201610342206.1 | 申请日: | 2016-05-20 |
公开(公告)号: | CN105785724B | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
发明(设计)人: | 董立松;宋之洋;韦亚一 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 党丽,王宝筠 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 图形 优化 方法 最佳 平面 位置 测量方法 系统 | ||
1.一种掩膜图形的优化方法,所述掩膜图形用于最佳焦平面位置的测量,其特征在于,包括:
S01,提供初始掩膜图形上的不同区域的预设的透过率和相位,初始掩膜图形对应相移掩膜;
S02,建立目标函数,获得预设的透过率和相位下的目标函数值,该目标函数值为当前目标函数值,其中,目标函数为部分相干光源照明、预定焦深范围内不同离焦量下光刻空间像强度分布所对应的图形位置偏移量对离焦量的斜率;
S03,以预设的透过率和相位为起始点,在优化算法的预设条件下,利用优化算法获得优化后的透过率和相位;
S04,通过目标函数获得优化后的透过率和相位下的目标函数值,该目标函数值为优化目标函数值;
S05,根据当前目标函数值和优化目标函数值的差值,确定优化后的透过率和相位是否为最优掩膜图形的透过率和相位参数;
若否,则重新设定优化算法的预设条件,将优化后的透过率和相位作为预设的透过率和相位,并返回步骤S03。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,部分相干光源的光源面被划分为多个光源点,所述光刻空间像强度分布为每个光源点下光刻空间像强度分布的叠加。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,部分相干光源的光源面被划分为多个光源点的方法包括:
取部分相干光源的光源面的外切正方形,将外切正方形栅格化分为正方形子区域,将每个正方形子区域的中心点作为一个光源点。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,优化算法包括模拟退火算法、遗传算法、蚁群算法、梯度算法。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,优化算法为模拟退火算法,根据当前目标函数值和优化目标函数值的差值,确定优化后的透过率和相位是否为最优掩膜图形的透过率和相位参数包括:
判断当前目标函数值和优化目标函数值的差值Δf是否不小于0,若是,则确定优化后的透过率和相位为最优掩膜图形的透过率和相位;
若Δf小于0,则判断e(Δf/T0)是否大于0-1之间的随机数,若是,则确定优化后的透过率和相位为最优掩膜图形的透过率和相位参数,T0为模拟退火的当前温度。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,在判断e(Δf/T0)是否大于0-1之间的随机数之后还包括:若小于所述随机数,则判断是否满足预定终止条件,若是,则进入终止优化步骤。
7.一种掩膜图形的优化系统,所述掩膜图形用于最佳焦平面位置的测量,其特征在于,包括:
初始掩膜图形提供单元,用于提供初始掩膜图形上的不同区域的预设的透过率和相位,初始掩膜图形对应相移掩膜;
目标函数建立单元,用于建立目标函数,其中,目标函数为部分相干光源照明、预定焦深范围内不同离焦量下光刻空间像强度分布所对应的图形位置偏移量对离焦量的斜率;
当前目标函数值获取单元,用于获得预设的透过率和相位下的目标函数值,该目标函数值为当前目标函数值;
优化单元,用于以预设的透过率和相位为起始点,在优化算法的预设条件下,利用优化算法获得优化后的透过率和相位;
优化目标函数值获取单元,用于通过目标函数获得优化后的透过率和相位下的目标函数值,该目标函数值为优化目标函数值;
最优掩膜图形判断单元,用于根据当前目标函数值和优化目标函数值的差值,确定优化后的透过率和相位是否为最优掩膜图形的透过率和相位参数;
预设条件重设单元,用于优化后的透过率和相位不是最优掩膜图形的透过率和相位参数时,重新设定优化算法的预设条件,并将优化后的透过率和相位作为预设的透过率和相位。
8.根据权利要求7所述的系统,其特征在于,还包括光源点划分单元,用于将部分相干光源的光源面划分为多个光源点,所述光刻空间像强度分布为每个光源点下光刻空间像强度分布的叠加。
9.根据权利要求8所述的系统,其特征在于,光源点划分单元中,取部分相干光源的光源面的外切正方形,将外切正方形栅格化分为正方形子区域,将每个正方形子区域的中心点作为一个光源点。
10.根据权利要求7所述的系统,其特征在于,优化算法包括模拟退火算法、遗传算法、蚁群算法、梯度算法。
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